檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "diode".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="過渡金屬硫屬化合物"
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
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二維材料如今受到非常多的矚目, 特別是物理結構特性以及電性傳輸特性. 本研究將同樣為二維材料的石墨烯與不同比例成分之三元化合物W(SxSe(1-x))2製作成異質結構, 具有成分變化的W(SxSe(…
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…